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多种激光技术助力微电子封装

编辑: 发表时间:2018-09-04 17:47:35浏览量:839

人们对平板电脑、手机、手表和其他可穿戴设备的需求趋向功能复杂但结构紧凑,因此半导体芯片和封装后器件的尺寸不断缩小对微电子技术发展的重要性不亚于摩尔定律的重要意义。
据麦姆斯咨询报道,人们对平板电脑、手机、手表和其他可穿戴设备的需求趋向功能复杂但结构紧凑,因此半导体芯片和封装后器件的尺寸不断缩小对微电子技术发展的重要性不亚于摩尔定律的重要意义。先进封装技术趋势为激光器发展创造了大量机会,因为他们能力非凡,能够在最小热影响区(HAZ)实行各种材料的高精度加工任务。因此,激光器在晶圆切割、封装切割(singulation)、光学剥离,μ-via钻孔、重分布层(RDL)结构化、切割带切割(EMI屏蔽)、焊接、退火和键合等方面使用越来越广泛,在此仅举几例。本文详细阐述了三种截然不同的基于激光的工艺,用于各种充满活力的应用领域。
纳秒和皮秒激光器用于系统级封装(SiP)切割
SiP技术可帮助高端可穿戴设备或便携式设备实现体积微型化、功能高度集中。SiP器件由各种电路组件组成,例如处理器、存储器、通信芯片和传感器等,组装在嵌入式铜线的PCB基板上。所有器件的组装通常被封装在模塑复合材料里,并添加具有电磁屏蔽功能的外部导电涂层。SiP器件厚度约1mm,其中模塑复合材料厚度约占一半。
在制造过程中,一开始多个SiP器件制作在一块大面板上,最后再被分割成单个器件。此外,某些情况下,在器件中,沟槽会直接深入到模塑复合材料,直到连接到铜接地层。该工艺在导电屏蔽层覆盖器件之前完成,导电屏蔽层主要用于完全覆盖SiP区域,使得与其他高频元器件隔离。
对于切割和开槽,切口位置和深度都必须精确,不能有炭化,更不能有碎屑。此外,诸如热损伤、分层或微裂纹等切割过程中产生的问题,都会对电路造成不可挽回的后果。
目前,具有纳秒脉冲宽度的20-40W紫外固态激光器(例如Coherent AVIA)是SiP切割的主要工具。然而,对于纳秒源,需要平衡输出功率和切割质量(特别是边缘质量和碎片形成)。因此,仅通过施加更多激光功率是不能轻易提高处理速度的。

因此,如果对切割质量要求极高,可以选择532 nm(绿色)超短脉冲(ultra-short pulse,简称USP)激光器替代,例如Coherent HyperRapid NX皮秒激光器或Monaco飞秒激光器。与纳秒激光器相比,它们的切口更小,可以减少HAZ和碎片量,在某些情况下甚至可以提高产量。但是,USP源唯一的缺点就是它们的投入成本较高。


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